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SUD50P04-08-GE3
MOSFET POT, CANAL P, 40V, 50A
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark72R4258
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.360 |
| 100+ | $1.050 |
| 500+ | $0.926 |
| 1000+ | $0.806 |
| 2500+ | $0.655 |
| 5000+ | $0.633 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50P04-08-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark72R4258
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.0067ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd73.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia73.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The SUD50P04-08-GE3 from Vishay is a surface mount, 40V P channel TrenchFET power MOSFET in TO-252 package. This device is used as power switch, DC to DC converters and load switch in high current applications.
- Drain to source voltage (Vds) of -40V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -50A
- Power dissipation (Pd) of 73.5W
- Low on state resistance of 9.7mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.1
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0067ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
73.5W
Disipación de Potencia
73.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SUD50P04-08-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto