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SUM90N10-8M2P-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 90 A, 0.0082 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM90N10-8M2P-E3Copiar
No. Parte Newark75M5656
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id90
Resistencia de Activación Rds(on)0.0067ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0082
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0067ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
90
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0082
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
300W
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto