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VS-GT100TP60N
Módulo IGBT, Doble [medio puente], 160 A, 1.65 V, 417 W, 175 °C, INT-A-PAK
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![VISHAY VS-GT100TP60N Módulo IGBT, Doble [medio puente], 160 A, 1.65 V, 417 W, 175 °C, INT-A-PAK](https://mexico.newark.com/productimages/standard/en_US/4696244.jpg)
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-GT100TP60NCopiar
No. Parte Newark43X1829
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Corriente del Colector Continua160A
Corriente de Colector DC160A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.65V
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65V
Disipación de Potencia Pd417W
Disipación de Potencia417W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorINT-A-PAK
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Tecnología IGBTZanja
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
160A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.65V
Disipación de Potencia Pd
417W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
160A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65V
Disipación de Potencia
417W
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Diseño de Transistor
INT-A-PAK
Terminación del IGBT
Perno
Tecnología IGBT
Zanja
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto