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C2M0040120D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0040120D
No. Parte Newark98Y6010
Rango de ProductoC2M
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia330
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Alternativas para el número de pieza C2M0040120D
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
No. de Pines
3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
330
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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