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C2M0045170D
MOSFET, CANAL N, 1.7KV, 72A, TO-247
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FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0045170DCopiar
No. Parte Newark98Y6011
Rango de ProductoC2M
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC2M0045170DCopiar
No. Parte Newark98Y6011
Rango de ProductoC2M
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id72
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorTO-247
Disipación de Potencia Pd520W
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia520
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoC2M
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Disipación de Potencia Pd
520W
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
520
Rango de Producto
C2M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
72
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Diseño de Transistor
TO-247
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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