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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0016120K
No. Parte Newark21AH3202
Rango de ProductoC3M
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0223
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd556W
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6
Disipación de Potencia556
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoC3M
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
C3M0016120K is a C3M™MOSFET technology N-Channel enhancement mode silicon carbide power MOSFET. Application includes solar inverters, EV motor drive, high voltage DC/DC converters, switched mode power supplies, load switch.
- 3rd generation SiC MOSFET technology, optimized package with separate driver source pin
- 0.31inch of creepage distance between drain and source, high blocking voltage with low on-resistance
- High-speed switching with low capacitances, fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
- Reduce switching losses and minimize gate ringing, higher system efficiency
- Reduce cooling requirements, increase power density
- Increase system switching frequency
- 1200V drain - source voltage (VGS = 0V, ID = 100μA)
- 115A continuous drain current (VGS = 15V, TC = 25˚C)
- 16mohm drain-source on-state resistance (VGS = 15V, ID = 75A)
- TO 247-4 package, operating junction and storage temperature range from -40 to +175˚C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0223
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
556
Rango de Producto
C3M
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
556W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza C3M0016120K
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto