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C3M0075120J
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteWOLFSPEED
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No. Parte Newark27AC3668
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.550 |
| 10+ | $19.160 |
| 25+ | $18.660 |
| 50+ | $16.880 |
| 100+ | $15.980 |
| 250+ | $13.900 |
| 500+ | $13.500 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteC3M0075120JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark27AC3668
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.075ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.075
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd113.6W
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia113.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.075
Disipación de Potencia Pd
113.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
113.6
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.075ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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