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CAS120M12BM2
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 193 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, Module
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Información del producto
FabricanteWOLFSPEED
No. Parte FabricanteCAS120M12BM2
No. Parte Newark98Y6007
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id193A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Disipación de Potencia Pd925W
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia925W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013ohm
No. de Pines
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
925W
Rango de Producto
-
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
193A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Diseño de Transistor
Module
Disipación de Potencia Pd
925W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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