AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN 256Mb SDRAM es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad que contiene 256Mbits. Está configurado internamente como 4 bancos de 4M palabras x 16 DRAM con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Los accesos de lectura y escritura a SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Se puede habilitar una función de precarga automática para proporcionar una precarga de fila temporizada automática que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Al tener un registro de modo programable, el sistema puede elegir los modos más adecuados para maximizar su rendimiento. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria y es particularmente adecuado para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

• Tiempo de acceso rápido desde el reloj: 5/5.4ns, funcionamiento totalmente sincrónico
• Arquitectura de canalización interna, 4 millones de palabras x 16 bits x 4 bancos
• Registros de modo programable, latencia CAS: 2 o 3, duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 o página completa
• Tipo de ráfaga: secuencial o intercalada, función de detención de ráfaga
• Actualización automática y autoactualización, 8192 ciclos de actualización/64ms
• Modo de apagado de CKE, interfaz LVTTL
• Fuente de alimentación única de +3.3V ± 0.3V
• Frecuencia de 143MHz
• Paquete TSOP II 54 pines
• Rango de temperatura comercial de 0 a 70°C