AS4C4M32SA-6TIN

AS4C4M32SA-6TIN es una DRAM síncrona CMOS de 128Mb y alta velocidad que contiene 134,217,728Mbits. Está configurado internamente como una DRAM cuádruple de 1M x 32 con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el borde positivo de la señal de reloj, CLK). Cada uno de los bancos de 1M x 32 bits está organizado como 4096 filas por 256 columnas por 32 bits. Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. Se puede habilitar una función de precarga automática para proporcionar una precarga de fila temporizada automática que se inicia al final de la secuencia de ráfaga. Al disponer de un registro de modo programable, el sistema puede elegir los modos más adecuados para maximizar su rendimiento. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria.

• Funcionamiento totalmente sincrónico, arquitectura de canalización interna
• Cuatro bancos internos (1M x 32 bits x 4 bancos)
• Modo programable, latencia CAS: 2 o 3, duración de la ráfaga: 1, 2, 4, 8 o página completa
• Tipo de ráfaga: secuencial e intercalada, ráfaga de lectura y escritura única
• Función de parada de ráfaga, byte individual controlado por DQM0-3
• Actualización automática y autoactualización, 4096 ciclos de actualización/64ms
• Fuente de alimentación única de 3.3V ±0.3V, interfaz LVTTL
• Reloj máximo de 166MHz
• Paquete TSOP II de 86 pines
• Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C