AS5F18G04SND-10LIN

El AS5F18G04SND-10LIN es una memoria flash NAND con interfaz periférica serial (SPI). La memoria SPI NAND ofrece una solución de bajo costo y con pocos pines como alternativa a la SPI-NOR en soluciones de almacenamiento de memoria no volátil de alta densidad para sistemas embebidos. La memoria SPI NAND es un dispositivo de memoria flash con arquitectura SLC NAND, similar a la memoria NAND paralela estándar. La interfaz eléctrica en serie sigue la interfaz periférica en serie estándar de la industria. Los conjuntos de comandos son similares a los de SPI-NOR. Se han realizado algunas modificaciones para gestionar las funciones específicas de la memoria NAND. Además, se han añadido nuevas funciones para ampliar las aplicaciones. La memoria NAND SPI tiene un total de 8 pines, incluyendo seis líneas de señal, VCC y GND. Su densidad varía de 1 Gbit a 8 Gbit. Cada bloque de la memoria NAND serial se subdivide en 64 páginas programables. Cada página consta de una región de almacenamiento de datos y un área de reserva. La región de almacenamiento de datos se utiliza para guardar los datos programados por el usuario, mientras que el área de reserva se utiliza normalmente para la gestión de memoria y las funciones de corrección de errores.

• Memoria flash NAND de celda de nivel único (SLC), protección OTP, 64 páginas programables una sola vez.
• Tiempo de programación de página: 600µs, tiempo de lectura de página: 70µs para páginas de 2KB, tiempo de lectura de página: 140µs para páginas de 4K
• Corriente de operación de lectura de 25mA/corriente de operación de programación, configuración de memoria de 1GB x 8 bits
• El consumo de corriente en modo de borrado es de 30mA y el consumo máximo en modo de espera es de 120µA.
• Durabilidad, ciclos P/E: más de 60,000/ciclos, 10/años de retención de datos
• Voltaje de alimentación: 1.8V, densidad de 8 Gbits
• Ancho de bus SPI cuádruple
• Velocidad de 100MHz
• Encapsulado LGA-8
• Rango de temperatura de grado industrial de -40 °C a 85 °C