DS1225AB-70IND+

El DS1225AB-70IND+ es una SRAM no volátil de 64K en un paquete EDIP de 28 pines. Es una SRAM no volátil, totalmente estática y de 65.536 bits, organizada en 8192 palabras por 8 bits. El NV SRAM tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitorea constantemente el VCC en busca de una condición fuera de tolerancia. Cuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección contra escritura se habilita incondicionalmente para evitar la corrupción de datos. La NV SRAM se puede utilizar en lugar de las SRAM de 8K x 8 existentes que se ajustan directamente al popular paquete DIP de 28 pines de ancho de bytes. El dispositivo coincide con la configuración de pines de 2764 EPROM y 2864 EEPROM, lo que permite la sustitución directa y al mismo tiempo mejora el rendimiento. No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz del microprocesador.

• Rango de voltaje de alimentación de 4.75V a 5.25V
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
• Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
• Reemplaza directamente 8K x 8 RAM estática volátil o EEPROM
• Ciclos de escritura ilimitados
• CMOS de baja potencia
• El tiempo de acceso de lectura y escritura es de 70ns
• La fuente de energía de litio se desconecta para conservar la frescura hasta que se aplica energía por primera vez
• El voltaje de protección contra escritura es de 4.62V.
• Corriente de Operación de 85mA

Notas

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