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DS1225AD-150IND+
SRAM No Volátil (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 150ns Lectura/Escritura, Paralelo, 4.75V-5.25V, EDIP-28
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- Fabricante:
- ANALOG DEVICES ANALOG DEVICES
- No. Parte Fabricante:
- DS1225AD-150IND+
- No. Parte Newark
- 38AC0912
- Hoja de datos técnicos:
- DS1225AD-150IND+ Ficha de datos
Resumen del producto
- Supply voltage range from 4.5V to 5.5V
- Operating temperature range from -40°C to +85°C
- Data is automatically protected during power loss
- Directly replaces 8K x 8 volatile static RAM or EEPROM
- Unlimited write cycles
- Low power CMOS
- Read and write access time is 150ns
- Lithium energy source is disconnected to retain freshness until power is applied for the first time
- Write protection voltage is 4.37V
- Operating current is 85mA
Información del producto
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- 64Kbit
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- 8K x 8bit
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- 150ns
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- 4.5V
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- 5.5V
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- eDIP
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- EDIP
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- 28Pines
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- Parallel
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- Paralelo
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- -40°C
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- Through Hole
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- 85°C
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Documentos técnicos (1)
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