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DS1245AB-70IND+
SRAM no Volátil (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, Lect./Escr. 70ns, Paralelo, 4.75V a 5.25V, EDIP-32
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FabricanteANALOG DEVICES
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No. Parte Newark68AC5061
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $73.410 |
| 5+ | $71.450 |
| 10+ | $69.500 |
| 25+ | $67.550 |
| 50+ | $64.910 |
| 100+ | $63.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteANALOG DEVICES
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark68AC5061
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria1
Organización de Memoria0
Configuración de Memoria128K x 8bit
Tiempo de Acceso de Lectura70
Tiempo de Acceso de Escritura70
Tensión de Alimentación Mín.4.75
Tensión de Alimentación Máx.5.25
Estuche / Paquete CIeDIP
Memoria, Tipo0
No. de Pines32Pines
InterfacesParallel
Tipo de Interfaz IC0
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Organización de Memoria
0
Tiempo de Acceso de Lectura
70
Tensión de Alimentación Mín.
4.75
Estuche / Paquete CI
eDIP
No. de Pines
32Pines
Tipo de Interfaz IC
0
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Densidad de Memoria
1
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Tiempo de Acceso de Escritura
70
Tensión de Alimentación Máx.
5.25
Memoria, Tipo
0
Interfaces
Parallel
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DS1245AB-70IND+
1 producto (s) encontrado (s)
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6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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