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DS28E80Q+T
EEPROM, 2 Kbit, 1 Hilo, TDFN, 6 Pines
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FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS28E80Q+TCopiar
No. Parte Newark82AC2570
Rango de Producto2Kbit 1-Wire Serial EEPROMs
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.990 |
| 10+ | $2.910 |
| 25+ | $2.840 |
| 50+ | $2.830 |
| 100+ | $2.810 |
| 250+ | $2.760 |
| 500+ | $2.690 |
| 1000+ | $2.610 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.99
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Información del producto
FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS28E80Q+TCopiar
No. Parte Newark82AC2570
Rango de Producto2Kbit 1-Wire Serial EEPROMs
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria2
Configuración de Memoria-
Configuración Memoria EEPROM0
Tipo de Interfaz de Memoria0
Interfaces1-Wire
Frecuencia Max de Reloj-
Frecuencia de Reloj0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CITDFN-EP
No. de Pines6Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.97
Tensión de Alimentación Máx.3.63
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto2Kbit 1-Wire Serial EEPROMs
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
La DS28E80Q+T es una memoria de 1 hilo resistente a la radiación gamma. Se trata de un chip de memoria no volátil programable por el usuario. A diferencia de las celdas de almacenamiento de puerta flotante, el DS28E80 emplea una tecnología de celda de alm
- Un tamaño de bloque menor proporciona mayor flexibilidad en la programación de la memoria del usuario.
- La memoria está organizada en bloques de 8 bytes, cada bloque se puede escribir 8 veces.
- Protección contra escritura programable por el usuario para bloques de memoria individuales
- El protocolo avanzado de 1 hilo minimiza la interfaz a un solo contacto.
- El encapsulado compacto y la interfaz de E/S única reducen el espacio en la tarjeta y mejoran la fiabilidad.
- Número de identificación único programado de fábrica de 64 bits
- Se comunica a velocidad estándar de 1 cable (15.3kbps máx.) y a velocidad de sobrecarga (76kbps máx.).
- Protección ESD HBM de ±8kV (típica) para pin de E/S
- Paquete TDFN 6
- Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
-
Tipo de Interfaz de Memoria
0
Frecuencia Max de Reloj
-
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
6Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.63
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
2Kbit 1-Wire Serial EEPROMs
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Densidad de Memoria
2
Configuración Memoria EEPROM
0
Interfaces
1-Wire
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
TDFN-EP
Tensión de Alimentación Mín.
2.97
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto