HMC219BMS8GETR

El HMC219B es un mezclador doble balanceado ultraminiatura de uso general. Este mezclador de circuito integrado de microondas monolítico pasivo (MMIC) se fabrica en un proceso de transistor de efecto de campo semiconductor metálico (MESFET) de arseniuro de galio (GaAs) y no requiere componentes externos ni circuitos coincidentes. Este dispositivo se puede utilizar como convertidor ascendente, convertidor descendente, demodulador bifásico o comparador de fase de 2.5GHz a 7GHz. Proporciona un excelente oscilador local (LO) a aislamiento de radiofrecuencia (RF) y LO a aislamiento de frecuencia intermedia (IF) debido a estructuras balun optimizadas. Elimina la necesidad de unir cables y es compatible con técnicas de fabricación de montaje en superficie de gran volumen. Se utiliza en aplicaciones como radios de microondas, red de área local de radio de alto rendimiento (HiperLAN) e infraestructura de información nacional sin licencia (U-NII), industrial, científica y médica (ISM), etc.

• La pérdida de conversión es de 9dB típica a (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• El aislamiento de LO a RF es de 40dB típico a (TA = 25 °C, IF = 100 MHz)
• El aislamiento de LO a IF es de 35 dB típico a (TA = 25 °C, IF = 100MHz)
• El aislamiento de RF a IF es de 22dB típico a (TA = 25 °C, IF = 100 MHz)
• La entrada IP3 es de 18dBm típica a (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• La entrada P1dB es de 11dBm típica a (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• La entrada IP2 es de 55dBm típica a (TA = 25°C, IF = 100MHz)
• Topología pasiva doble balanceada
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +85°C
• El estilo del paquete es MINI-SO-EP de 8 terminales

Notas

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