MXD1210CPA+

El controlador de memoria RAM no volátil MXD1210CPA+ es un circuito CMOS de muy bajo consumo que convierte la memoria RAM CMOS estándar (volátil) en memoria no volátil. Además, supervisa continuamente la fuente de alimentación para proporcionar protección contra escritura en la RAM cuando la alimentación de la RAM se encuentra en una condición marginal (fuera de tolerancia). Cuando la fuente de alimentación comienza a fallar, la memoria RAM se protege contra escritura y el dispositivo cambia al modo de respaldo de batería. Entre las aplicaciones típicas se incluyen sistemas de microprocesadores, ordenadores y sistemas embebidos.

• Batería de respaldo, protección contra escritura de memoria
• Corriente de reposo en modo de funcionamiento de 230µA
• Corriente de reposo en modo de respaldo de 2nA
• Sello de frescura de la batería
• Batería redundante opcional
• Baja caída de voltaje directo en el interruptor de alimentación VCC
• Opciones de detección de fallos de alimentación del 5% o del 10%.
• Comprueba el estado de la batería durante el encendido.
• Voltaje de alimentación de 4.75V a 5.50V en TOL = GND, corriente de alimentación típica de 0.23mA en VBATT1 = VBATT2 = 3V
• Rango de temperatura de 0 °C a +70 °C, paquete 8 PDIP