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HSMS-2802-TR1G
Diodo Schottky RF, Barrera, Serie doble, 70 V, 1 A, 410 mV, 2 pF, SOT-23
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Información del producto
FabricanteBROADCOM
No. Parte FabricanteHSMS-2802-TR1GCopiar
No. Parte Newark63J9476
Configuración de DiodoSerie doble
Voltaje Reverso70
Corriente Directa1
Voltaje Directo410
Voltaje Directo VF Máx.410mV
Capacitancia del Diodo2
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The HSMS-2802-TR1G is a 3-pin dual surface-mount RF Schottky Barrier Diode for both analogue and digital applications. The HSMS-280x family has the highest breakdown voltage, but at the expense of a high value of series resistance (Rs). In applications which do not require high voltage the HSMS-282x family, with a lower value of series resistance, will offer higher current carrying capacity and better performance.
- High breakdown voltage
- Low FIT (failure in time) rate
- Six-sigma quality level
- 35Ω Typical dynamic resistance
- 500°C/W Thermal resistance
- 150°C Junction temperature
Advertencias
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Serie doble
Corriente Directa
1
Voltaje Directo VF Máx.
410mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso
70
Voltaje Directo
410
Capacitancia del Diodo
2
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto