Diodos Rectificadores Schottky | Newark Electrónica México

Filtro(s) aplicado(s)

Rango de Producto

:

Serie SB

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	SB520-E3/54	05R5710 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 20 V 5 A Único DO-201AD 2 Pines 480 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.188	Mín: 1/Múlt: 1	20	5	Único	DO-201AD	2Pines	480	220	150	Through Hole	Serie SB
	SB560-E3/54	05R5713 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 60 V 5 A Único DO-201AD 2 Pines 650 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.785 10+ $0.531 25+ $0.511 50+ $0.491 100+ $0.471 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	60V	5	Único	DO-201AD	2Pines	650mV	220	150	Through Hole	Serie SB
	SB160-E3/54	05R5702 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 60 V 1 A Único DO-204AL 2 Pines 650 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.091 25+ $0.091 100+ $0.091 250+ $0.091 500+ $0.091 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	60V	1	Único	DO-204AL	2Pines	650mV	40	150	Through Hole	Serie SB
	SB530-E3/54	05R5711 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 30 V 5 A Único DO-201AD 2 Pines 480 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.717 10+ $0.508 25+ $0.503 50+ $0.498 100+ $0.494 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	30	5	Único	DO-201AD	2Pines	480	220	150	Through Hole	Serie SB
	SB350-E3/54	05R5708 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 50 V 3 A Único DO-201AD 2 Pines 680 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.251 10+ $0.251 25+ $0.251 50+ $0.251 100+ $0.251 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	50	3	Único	DO-201AD	2Pines	680	120	150	Through Hole	Serie SB
	SB550-E3/54	05R5712 Data Sheet RoHS Fecha y lote	VISHAY Rectificador Schottky 50 V 5 A Único DO-201AD 2 Pines 650 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+ $0.243 10+ $0.223 25+ $0.223	Mín: 1/Múlt: 1	50	5	Único	DO-201AD	2Pines	650mV	220	150	Through Hole	Serie SB
	SB150-E3/73	77K1956 Data Sheet RoHS	VISHAY Rectificador Schottky 50 V 1 A Único DO-204AL 2 Pines 650 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	500+ $0.143	Mín: 9000/Múlt: 3000	50	1	Único	DO-204AL	2Pines	650mV	25A	150	Through Hole	Serie SB
	SB3H90-E3/54	05R5704 Data Sheet RoHS	VISHAY Rectificador Schottky 90 V 3 A Único DO-201AD 2 Pines 800 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	10+ $0.405	Mín: 2800/Múlt: 1400	90V	3	Único	DO-201AD	2Pines	800mV	100A	175°C	Through Hole	Serie SB
	SB330-E3/54	05R5706 Data Sheet RoHS	VISHAY Rectificador Schottky 30 V 3 A Único DO-201AD 2 Pines 490 mV		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	500+ $0.258	Mín: 5600/Múlt: 1400	30	3	Único	DO-201AD	2Pines	490mV	120	125°C	Through Hole	Serie SB

Artículos por página:

1-9 de 9 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS