600A Módulos IGBT | Newark Electrónica México

Encuentre una amplia gama de 600A Módulos IGBT en Newark Electrónica México. Disponemos de una amplia gama de Módulos IGBT, como 100A, 75A, 600A & 50A Módulos IGBT de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Infineon & Starpower.

Filtro(s) aplicado(s)

Corriente de Colector DC

:

600A

1 Filtro(s) seleccionado(s)

Comparar					Precio para		Cantidad

	FF450R17ME4BOSA1	13AC8659 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Canal N 600 A 1.95 V 2.5 kW 1.7 kV Módulo		Cada	1+ $304.240	Mín: 1/Múlt: 1	Dual	Canal N	600A	600A	1.95V	1.95V	2.5kW	2.5kW	150°C	150°C	1.7kV	Module	-	Press Fit	1.7kV	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	EconoDUAL 3
	FF600R07ME4BPSA1	68AH9969 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo IGBT Doble 600 A 1.55 V 150 °C Module		Cada	1+ $136.790 5+ $127.600 10+ $120.890	Mín: 1/Múlt: 1	Dual	-	600A	600A	1.55V	1.55V	-	-	150°C	150°C	650V	Module	-	Stud	650V	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	EconoDUAL 3
	FF600R12KE4PBOSA1	91AH7524 Data Sheet RoHS Fecha y lote	INFINEON Módulo IGBT Doble 600 A 1.75 V 150 °C Module		Cada	1+ $167.920 5+ $162.220 16+ $156.510 32+ $150.800	Mín: 1/Múlt: 1	Dual	-	600A	600A	1.75V	1.75V	-	-	150°C	150°C	1.2kV	Module	-	Stud	1.2kV	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF600R12IP4BOSA1	80AH9456 Data Sheet RoHS	INFINEON Módulo IGBT Doble [medio puente] 600 A 1.7 V 3.35 kW 150 °C Module		Cada	1+ $503.840	Mín: 1/Múlt: 1	Dual [Half Bridge]	-	600A	600A	1.7V	1.7V	3.35kW	3.35kW	150°C	150°C	1.2kV	Module	-	Stud	1.2kV	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	PrimePACK 2
	FF600R12KE4BOSA1	43AC3133 Data Sheet RoHS	INFINEON Arreglo & Módulo Transistor IGBT Fosa/Tope de campo Canal N 600 A 1.75 V 1.2 kV Módulo		Cada	1+ $66.290 5+ $66.290 10+ $66.290	Mín: 1/Múlt: 1	Dual [Half Bridge]	Canal N	600A	600A	1.75V	1.75V	-	-	150°C	150°C	1.2kV	Module	-	Tab	1.2kV	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	62mm C
	FF600R12KE4EBOSA1	93AC7010 Data Sheet RoHS	INFINEON Módulo IGBT Doble Emisor Común 600 A 1.75 V 150 °C Module		Cada	1+ $90.330 5+ $90.330 10+ $90.330	Mín: 1/Múlt: 1	Dual, Common Emitter	-	600A	600A	1.75V	1.75V	-	-	150°C	150°C	1.2kV	Module	-	Stud	1.2kV	IGBT 4 [Trench/Field Stop]	Panel	-
	GD300HFY120C2S	93AC7043 Data Sheet RoHS	STARPOWER Módulo IGBT Medio Puente 600 A 2 V 2.941 kW 150 °C Module		Cada	1+ $143.210 5+ $140.620 10+ $137.920 25+ $136.560 50+ $135.240 Más precios…	Mín: 1/Múlt: 1	Medio Puente	Canal N Dual	600A	600A	2	2V	2.941	2.941kW	150°C	150°C	1.2kV	Module	11Pines	Perno	1.2kV	Parada de campo de zanja	Panel	-

Artículos por página:

1-7 de 7 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS