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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Configuración IGBT | Transistor, Polaridad | Corriente de Colector DC | Corriente del Colector Continua | Voltaje de Saturación Colector Emisor | Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | Disipación de Potencia | Disipación de Potencia Pd | Temperatura de Union, Tj Máx. | Temperatura de Trabajo Máx. | Diseño de Transistor | Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | No. de Pines | Terminación del IGBT | Voltaje Máx. Colector a Emisor | Tecnología IGBT | Montaje de Transistor | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+$168.670 5+$166.170 10+$163.740 36+$153.920 | Half Bridge | Canal N Dual | 1kA | 1 | 2 | 2V | 3.409 | 3.409kW | 150°C | 150 | Module | 1.2kV | 11Pines | Stud | 1.2 | Trench Field Stop | Panel | - | ||||||
Cada | 1+$1,331.240 | Single Switch | Canal N | 1kA | 1 | 2.55 | 2.55V | - | - | 150°C | 150 | Module | 3.3kV | - | Tab | 3.3 | IGBT 3 [Trench/Field Stop] | Panel | IHM-B | ||||||
