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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFZ1000R33HE3BPSA1
No. Parte Newark13AC8763
Rango de ProductoIHM-B
También conocido comoFZ1000R33HE3, SP001181824
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle Switch
Transistor, PolaridadCanal N
Corriente del Colector Continua1kA
Corriente de Colector DC1kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.55V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.55V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo3.3kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTTab
Voltaje Máx. Colector a Emisor3.3kV
Tecnología IGBTIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoIHM-B
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single Switch
Corriente del Colector Continua
1kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.55V
Disipación de Potencia Pd
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
3.3kV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Tab
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
IHM-B
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
1kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.55V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
3.3kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto