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SEMIX352GB128DS
Módulo IGBT, Doble, 377 A, 2.35 V, 150 °C, SEMiX 2
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSEMIX352GB128DS
No. Parte Newark16M0113
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC377A
Corriente del Colector Continua377A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.35V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.35V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.15V
Diseño de TransistorSEMiX 2
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines16Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.15V
Tecnología IGBTZanja
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
377A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.35V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.15V
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.15V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
377A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.35V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
SEMiX 2
No. de Pines
16Pines
Tecnología IGBT
Zanja
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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