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MRFE6VP6300HSR5
Transistor FET RF, 125 V, 100 mA, 300 W, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780S
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FabricanteNXP
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Tiempo de entrega estándar del fabricante101 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T4415
Cinta adhesiva13T4415
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 50 | $228.200 | $11,410.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $11,410.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 50+ | $228.200 |
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMRFE6VP6300HSR5Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante101 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T4415
Cinta adhesiva13T4415
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds125V
Intensidad Drenador Continua Id100mA
Disipación de Potencia300W
Disipación de Potencia Pd300W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.600MHz
Diseño de TransistorNI-780S
Encapsulado de Transistor RFNI-780S
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorBrida
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The MRFE6VP6300HSR5 is a N-channel RF Power FET designed for use in high VSWR (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. It is unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30 to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large signal impedance parameters
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
125V
Disipación de Potencia
300W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Diseño de Transistor
NI-780S
No. de Pines
4Pines
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
100mA
Disipación de Potencia Pd
300W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
600MHz
Encapsulado de Transistor RF
NI-780S
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Brida
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto