14mA JFETs | Newark Electrónica México

Aviso Importante:

Debido a mejoras recientes en nuestros sistemas, los tiempos de procesamiento pueden ser mayores. Agradecemos su comprensión y confianza.

Encuentre una amplia gama de 14mA JFETs en Newark Electrónica México. Disponemos de una amplia gama de JFETs, como 14, 6.5, 14mA & 40mA JFETs de los principales fabricantes del mundo, incluidos: Toshiba.

Comparar	Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Disponibilidad	Precio para	Precio en USD	Cantidad	Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente	Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero	Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta	Diseño de Transistor	No. de Pines	Temperatura de Trabajo Máx.	Tipo de Canal	Montaje de Transistor

	2SK880-BL(TE85L,F)	03AM3305 RoHS Fecha y lote	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.929 50+$0.424 100+$0.374 250+$0.330 500+$0.286 Más precios…		-	14mA	1.5V	SOT-323	3 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount
	2SK209-BL(TE85L,F)	86AK6752 RoHS	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.175 9000+$0.153 15000+$0.144		50V	14mA	1.5V	TO-236	3 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount
	2SK209-GR(TE85L,F)	86AK6753 RoHS	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.185 9000+$0.162 15000+$0.159		50V	14mA	1.5V	TO-236	3 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount
	2SK880-GR(TE85L,F)	86AK6759 RoHS	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.222 9000+$0.195 15000+$0.191		50V	14mA	1.5V	SOT-323	3 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount
	2SK2145-BL(TE85L,F	86AK6754 RoHS	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Rollo Completo) Hilado completo	3000+$0.285 9000+$0.252 15000+$0.247		50V	14mA	1.5V	SOT-25	5 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount
	2SK880-Y(TE85L,F)	03AM3306 RoHS	TOSHIBA Diodos transistores y dispositivos semi		Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.929 50+$0.424 100+$0.374 250+$0.330 500+$0.286 Más precios…		-	14mA	1.5V	SOT-323	3 Pin	125°C	N Channel	Surface Mount

Artículos por página:

1-6 de 6 de artículos

de 1 página(s)

Popular Suppliers

NEXPERIA

ONSEMI

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

Nuevos Semiconductores - Discretos

MAT14ARZ Bipolar Transistor Array

Arreglo de transistores bipolares MAT14ARZ

ANALOG DEVICES

TK095N65Z5 650V N-channel power MOSFETs

TK095N65Z5 MOSFET de potencia de canal N de 650 V

TOSHIBA

600V Gallium Nitride Transistor

Transistor de nitruro de galio (GaN) de 600 V

INFINEON

600 V, 30 A Trench field-stop IGBT

IGBT con tecnología Trench Field-Stop de 600 V y 30 A con diodo de silicio de clasificación nominal total

NEXPERIA

XPT series IGBT Thin-wafer Technolog

Tecnología de oblea delgada IGBT para aplicaciones de conmutación dura sin amortiguador serie XPT.

LITTELFUSE

MPS Series SiC Schottky Diodes

GENESIC SEMICONDUCTOR

Diodos Schottky de SiC serie MPS: de 650 V a 1.7 KV

GENESIC SEMICONDUCTOR

N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N

INFINEON

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, FET de nitruro de galio (GaN)

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series

Puente en H de la serie APM16 para convertidores CC-CC LLC y desfasados

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de canal N

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

Módulo MOSFET de SIC, 900 V, 149 A

ONSEMI

onsemi EliteSiC

EliteSiC de onsemi de 650 V a 1700 V, ahora en existencias

ONSEMI

High Speed Trr Series

PrestoMOS™ de bajo ruido - Serie Trr de alta velocidad

ROHM

IGBT 650V Field Stop Trench Technology

Tecnología de trinchera de parada de campo IGBT de 650 V

ONSEMI

Automotive-grade N-channel 650V Power Mosfet

STMICROELECTRONICS

Mosfet de potencia de 650 V de canal N de grado automotriz - Encapsulado ACEPACK SMIT

STMICROELECTRONICS