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Módulos MOSFET :
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Fabricante
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Disipación de Potencia
=830W
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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
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Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
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Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
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Rango de Producto
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Embalaje
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Tipo de Canal | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | Voltaje de Prueba Rds(on) | Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | Disipación de Potencia | Temperatura de Trabajo Máx. | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$60.520 5+$54.310 10+$48.100 25+$47.450 50+$46.490 Más precios… | Canal P | 210A | 100V | 7500µohm | 10V | 4.5V | 830W | 150°C | TrenchP Series | |||||
37AC0717 RoHS | IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$38.280 5+$36.400 10+$34.300 25+$32.000 50+$29.910 Más precios… | N Channel | 360A | 100V | 2600µohm | 100V | 4.5V | 830W | 175°C | Trench HiperFET | ||||
