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IXFN360N10T
MÃDULO MOSFET, CANAL N, 100V, 360A
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN360N10TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark37AC0717
Rango de ProductoTrench HiperFET
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485 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $38.280 |
| 5+ | $36.400 |
| 10+ | $34.300 |
| 25+ | $32.000 |
| 50+ | $29.910 |
| 100+ | $29.290 |
| 250+ | $28.450 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXFN360N10TCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark37AC0717
Rango de ProductoTrench HiperFET
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id360A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)100V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia830W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrench HiperFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
360A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
100V
Disipación de Potencia
830W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
Trench HiperFET
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
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Certificado de conformidad del producto