Módulos MOSFET :
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Fabricante
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Temperatura de Trabajo Máx.
=175°C
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Tipo de Canal
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Intensidad Drenador Continua Id
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Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
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Resistencia de Activación Rds(on)
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Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
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Voltaje de Prueba Rds(on)
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Diseño de Transistor
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Montaje de Transistor
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Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
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Embalaje
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| Comparar | Número de pieza del fabricante | Código Farnell | Fabricante / Descripción | Disponibilidad | Precio para | Precio en USD | Cantidad | Tipo de Canal | Intensidad Drenador Continua Id | Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | Resistencia de Activación Rds(on) | Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | Voltaje de Prueba Rds(on) | Diseño de Transistor | Montaje de Transistor | Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | Disipación de Potencia Pd | Disipación de Potencia | Temperatura de Trabajo Máx. | No. de Pines | Rango de Producto |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cada | 1+$28.190 5+$24.670 10+$21.140 25+$20.620 50+$20.100 Más precios… | Canal N | 400A | 150V | 0 | 1930µohm | 10V | - | - | 3.46V | 0 | 909W | 175°C | - | - | ||||||
IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$40.100 5+$35.380 10+$30.670 25+$29.740 50+$28.940 Más precios… | Canal N | 420A | 100V | 0 | 2300µohm | 10V | - | - | 5V | 0 | 1.07kW | 175°C | - | GigaMOS HiperFET Series | |||||
IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$35.250 5+$30.610 10+$25.970 25+$25.160 50+$24.360 Más precios… | N Channel | 200A | 100V | 0.0075ohm | 7500µohm | 15V | ISOTOP | Módulo | 5V | 680W | 680W | 175°C | 4Pines | Polar(TM) HiPerFET | |||||
37AC0717 RoHS | IXYS SEMICONDUCTOR | Cada | 1+$38.280 5+$36.400 10+$34.300 25+$32.000 50+$29.910 Más precios… | N Channel | 360A | 100V | 0 | 2600µohm | 100V | - | - | 4.5V | 0 | 830W | 175°C | - | Trench HiperFET | ||||
12AN6650 RoHS | Cada | 1+$38.040 5+$35.340 10+$32.630 25+$29.920 50+$29.540 Más precios… | N Channel | - | 100V | - | 0.00396ohm | 12V | - | - | 4.5V | - | - | 175°C | - | - | |||||



