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DMN65D8LDWQ-7
MOSFET, DOBLE, CANAL N, 60V, 0.18A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN65D8LDWQ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8645RL
Cinta adhesiva28AK8645
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.367 | $1.84 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.367 |
| 50+ | $0.225 |
| 100+ | $0.141 |
| 250+ | $0.123 |
| 500+ | $0.104 |
| 1000+ | $0.093 |
| 2500+ | $0.091 |
| 5000+ | $0.088 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN65D8LDWQ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8645RL
Cinta adhesiva28AK8645
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N180mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P180mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente6ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N400mW
Disipación de Potencia de Canal P400mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
180mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
400mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
180mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
6ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto