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SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 6.1 A, 0.033 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6305
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9666RL
Cinta adhesiva50AC9666
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488 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.800 | $1.80 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.736 |
| 250+ | $0.657 |
| 500+ | $0.579 |
| 1000+ | $0.494 |
| 2500+ | $0.395 |
| 5000+ | $0.388 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.667 |
| 5000+ | $0.656 |
| 10000+ | $0.616 |
| 20000+ | $0.585 |
| 30000+ | $0.555 |
| 50000+ | $0.536 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4946CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6305
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9666RL
Cinta adhesiva50AC9666
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id6.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.8W
Disipación de Potencia de Canal P2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET dual de canal N de 60V (D-S) adecuado para uso en convertidores CD/CD, interruptores de carga, inversores y aplicaciones de protección de circuitos.
- TrenchFET® power MOSFET
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.1A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.033ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.8W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Intensidad Drenador Continua Id
6.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4946CDY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto