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SI9945CDY-T1-GE3
MOSFET Dual, Doble Canal N, 60 V, 7.9 A, 0.032 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9945CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)73AM7462RL
Cinta adhesiva73AM7462
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 53 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 10 | $0.247 | $2.47 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.47 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $0.247 |
| 30+ | $0.192 |
| 50+ | $0.118 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9945CDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)73AM7462RL
Cinta adhesiva73AM7462
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.032
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.6
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.032
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto