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SI3590DV-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)35R6220
Cinta adhesiva35R6220
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.625 | $1,875.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1,875.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.625 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3590DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)35R6220
Cinta adhesiva35R6220
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.062
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.062
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N830
Disipación de Potencia de Canal P830
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El SI3590DV-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal y N de 30V. RDS (encendido) ultra bajo para alta eficiencia y optimizado para operación en lado alto y lado bajo. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Baja pérdida de conducción
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.062
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
830
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.062
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
830
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto