MOSFETs Dobles | Newark Electrónica México

Número de pieza del fabricante	Código Farnell	Fabricante / Descripción	Precio para	Precio en USD	Tipo de Canal	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N	Voltaje de Drenaje-Fuente Vds	Intensidad Drenador Continua Id	Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P	Corriente de Drenaje Continua Id Canal N	Corriente de Drenaje Continua Id Canal P	Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente	Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente	Diseño de Transistor	No. de Pines	Disipación de Potencia de Canal N	Disipación de Potencia de Canal P	Temperatura de Trabajo Máx.	Rango de Producto

ECH8660-TL-H	13AC6097 Data Sheet RoHS	ONSEMI MOSFET Dual Canal complementario N y P 30 V 30 V 4.5 A 4.5 A 0.059 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$1.210 50+$0.803 100+$0.570 250+$0.516 500+$0.461 Más precios…	Canal complementario N y P	30	30V	4.5A	30	4.5	4.5	0.059	0.045	SOT-28FL	8Pines	1.5	1.5	150	-
IRLHS6376TRPBF	91Y4786 Data Sheet RoHS	INFINEON MOSFET Dual Canal N 30 V 30 V 3.6 A 3.6 A 0.063 ohm	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$0.935 50+$0.583 100+$0.378 250+$0.334 500+$0.288 Más precios…	Canal N	30	0	0	30	3.6	3.6	0.063	0.048	DFN2020	8Pines	1.5	1.5	150	HEXFET Series
QH8JC5TCR	22AJ0381 Data Sheet RoHS	ROHM MOSFET Dual Doble Canal P 60 V 3.5 A	Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva	1+$2.000 50+$1.270 100+$0.855 250+$0.766 500+$0.676 Más precios…	Doble Canal P	-	0	0	60	-	3.5	-	0.091ohm	TSMT	8Pines	-	1.5	150	-