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IRLHS6376TRPBF
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.063 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $17.260 | $17.26 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $17.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.260 |
| 10+ | $10.060 |
| 25+ | $9.080 |
| 50+ | $8.100 |
| 100+ | $7.160 |
| 250+ | $6.360 |
| 500+ | $5.580 |
| 1000+ | $5.060 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6376TRPBFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4786
Cinta adhesiva91Y4786
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.6
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.063
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5
Disipación de Potencia de Canal P1.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.6
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.063
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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