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IRF7907TRPBF
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7907TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5390
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9211
Cinta adhesiva13AC9211
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.486 | $0.49 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $1.720 | $0.486 |
| 10+ | $1.150 | $0.486 |
| 25+ | $1.040 | $0.486 |
| 50+ | $0.932 | $0.486 |
| 100+ | $0.823 | $0.486 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.587 |
| 8000+ | $0.565 |
| 16000+ | $0.551 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7907TRPBF
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5390
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9211
Cinta adhesiva13AC9211
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id11A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N11A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P11A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0098
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0098
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de doble canal N para convertidores POL en computadoras portátiles, servidores, tarjetas gráficas, consolas de juegos y decodificadores.
- Muy bajo RDS (on) a 4.5V VGS
- Baja carga de compuerta
- Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados
- Recuperación inversa de diodo corporal mejorada
- 100% probado para RG
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Intensidad Drenador Continua Id
11A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
11A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0098
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
11A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0098
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF7907TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto