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FDS8958B
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.021 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8958BCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1411RL
Cinta adhesiva31Y1411
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS8958BCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1411RL
Cinta adhesiva31Y1411
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id6.4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.021
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.021
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El FDS8958B es un MOSFET de doble canal N/P producido utilizando el avanzado proceso PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior. El dispositivo es ideal para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida. Es adecuado para su uso con convertidores de CD a CD, BLU y aplicaciones de inversor de accionamiento de motor.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.021
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
6.4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.021
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto