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NTLJD4116NT1G
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.7A, WDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTLJD4116NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC3888
Cinta adhesiva13AC3888
Rango de ProductouCool Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $20.200 | $20.20 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $20.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.200 |
| 10+ | $16.500 |
| 25+ | $14.620 |
| 50+ | $12.980 |
| 100+ | $11.140 |
| 250+ | $9.780 |
| 500+ | $7.760 |
| 1000+ | $7.440 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTLJD4116NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC3888
Cinta adhesiva13AC3888
Rango de ProductouCool Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.7A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047ohm
Diseño de TransistorWDFN
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductouCool Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.7A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
uCool Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.7A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047ohm
Diseño de Transistor
WDFN
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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