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IRF7103TRPBF
MOSFET Dual, Canal N, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7103TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo83AK6934
Re-reeling (Rollos a medida)19K8221RL
Cinta adhesiva19K8221
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187,003 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.420 | $1.42 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.42 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.420 |
| 50+ | $0.984 |
| 100+ | $0.671 |
| 250+ | $0.604 |
| 500+ | $0.536 |
| 1000+ | $0.493 |
| 2500+ | $0.456 |
| 5000+ | $0.446 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.309 |
| 8000+ | $0.296 |
| 16000+ | $0.285 |
| 24000+ | $0.271 |
| 40000+ | $0.255 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7103TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo83AK6934
Re-reeling (Rollos a medida)19K8221RL
Cinta adhesiva19K8221
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P50V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.11ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.11ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El IRF7103TRPBF es un MOSFET de doble canal N diseñado para técnicas de fase de vapor, infrarrojo u ondas de soldadura. Se ha modificado a través de un marco de plomo personalizado para características térmicas mejoradas y capacidad de doble matriz que lo hace ideal en una variedad de aplicaciones de energía. Con estas mejoras, se pueden usar múltiples dispositivos en una aplicación con un espacio de placa dramáticamente reducido.
- Tecnología de proceso avanzada
- Ultra baja resistencia de encendido
- Dispositivo de montaje en superficie
- Clasificación dv/dt dinámica
- Rendimiento de cambio rápido
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.11ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.11ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF7103TRPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto