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SIZ980BDT-T1-GE3
MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 197A, 66W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ980BDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)64AH1461RL
Cinta adhesiva64AH1461
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.620 | $2.62 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.620 |
| 50+ | $1.690 |
| 100+ | $1.160 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.917 |
| 1000+ | $0.844 |
| 2500+ | $0.818 |
| 5000+ | $0.792 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZ980BDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)64AH1461RL
Cinta adhesiva64AH1461
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N197A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P197A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente817µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente817µohm
Diseño de TransistorPowerPAIR
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N66W
Disipación de Potencia de Canal P66W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
197A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
817µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
66W
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
197A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
817µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR
Disipación de Potencia de Canal N
66W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto