Imprimir página
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5117PLT4G-VF01Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)54AH9518RL
Cinta adhesiva54AH9518
Su número de pieza
2,706 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.070 | $4.07 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.070 |
| 50+ | $2.660 |
| 100+ | $1.870 |
| 250+ | $1.700 |
| 500+ | $1.530 |
| 1000+ | $1.490 |
| 2500+ | $1.460 |
| 5000+ | $1.430 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5117PLT4G-VF01Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)54AH9518RL
Cinta adhesiva54AH9518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id61
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia118
Disipación de Potencia Pd118W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NVD5117PLT4G-VF01 es un MOSFET de potencia de canal P único.
- RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
- Alta capacidad de corriente, energía de avalancha especificada
- Calificado AEC-Q101
- La corriente de drenaje continuo es de -61 A a (TC = 25 °C)
- El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de -60V como mínimo a (VGS = 0V, ID = -250µA)
- La corriente de fuga de puerta a fuente es de 100nA como máximo en (VDS = 0V, VGS = 20V)
- La resistencia de drenaje a fuente es típica de 12 mohm en (VGS = -10V, ID = -29A)
- El tiempo de retardo de encendido es típico de 22ns en (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohms)
- El tiempo de subida es típico de 195ns en (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2,5 ohms)
- Rango de temperatura de unión de -55 °C a 175 °C, paquete DPAK
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
118
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
61
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
118W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NVD5117PLT4G-VF01
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto