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DMG2307L
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal P, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2307LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4741
Re-reeling (Rollos a medida)65T8209RL
Cinta adhesiva65T8209
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.308 | $1.54 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.54 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.308 |
| 10+ | $0.240 |
| 15+ | $0.170 |
| 25+ | $0.143 |
| 50+ | $0.122 |
| 125+ | $0.101 |
| 250+ | $0.087 |
| 500+ | $0.075 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.118 |
| 9000+ | $0.107 |
| 15000+ | $0.091 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMG2307LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4741
Re-reeling (Rollos a medida)65T8209RL
Cinta adhesiva65T8209
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.07ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd760mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia760mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El DMG2307L es un MOSFET de modo de mejora de canal P con caja de plástico moldeado y estaño mate soldable recocido sobre terminales de cobre con marco de plomo según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia de estado RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Producto verde, libre de halógenos
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.07ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
760mW
Disipación de Potencia
760mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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