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IRL40SC228
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 360 A, 650 µohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL40SC228Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5436
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3302RL
Cinta adhesiva43AC3302
Rango de ProductoStrongIRFET
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1,409 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.710 | $5.71 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.71 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.710 |
| 50+ | $4.020 |
| 100+ | $3.030 |
| 250+ | $2.820 |
| 500+ | $2.600 |
| 1000+ | $2.590 |
| 2500+ | $2.530 |
| 5000+ | $2.480 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $1.770 |
| 1600+ | $1.750 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRL40SC228Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5436
Re-reeling (Rollos a medida)43AC3302RL
Cinta adhesiva43AC3302
Rango de ProductoStrongIRFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id360A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente650µohm
Resistencia de Activación Rds(on)500µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia Pd416W
Disipación de Potencia416W
No. de Pines7Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
HEXFET® Power MOSFET adecuado para su uso en aplicaciones de accionamiento de motor con escobillas, aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, topologías de medio puente y puente completo, aplicaciones de rectificador síncrono, fuentes de alimentación de modo resonante, interruptores de potencia redundantes y de operación OR, Convertidores CD y CA/CD, inversores CD/CA.
- Optimizado para la unidad de nivel lógico
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- SOA de avalancha y capacitancia totalmente caracterizada
- Capacidad dV/dt y dI/dt de cuerpo de diodo mejoradas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
650µohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
416W
No. de Pines
7Pines
Rango de Producto
StrongIRFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
360A
Resistencia de Activación Rds(on)
500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia
416W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto