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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTN5325N3-GCopiar
No. Parte Newark91AH9260
Rango de ProductoTN5325
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id215mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia740mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTN5325
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
740mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TN5325
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
215mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto