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NTB25P06T4G
MOSFET, P CH, -60V, -27.5A, TO-263-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTB25P06T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante34 semanas
No. Parte Newark86AK5801
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 34 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $1.800 |
| 3000+ | $1.720 |
| 6000+ | $1.650 |
| 12000+ | $1.520 |
| 18000+ | $1.490 |
| 30000+ | $1.450 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
$1,440.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTB25P06T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante34 semanas
No. Parte Newark86AK5801
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id27.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.082ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia120W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27.5A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
120W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.082ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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