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SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -29.7 A, -
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark19X1927
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $0.942 |
| 25+ | $0.847 |
| 50+ | $0.754 |
| 100+ | $0.660 |
| 250+ | $0.599 |
| 500+ | $0.538 |
| 1000+ | $0.499 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA437DJ-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark19X1927
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id29.7A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia19W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
29.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
19W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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