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SUD23N06-31-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 9.1 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD23N06-31-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3889RL
Cinta adhesiva16P3889
Rango de ProductoSerie TrenchFET
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2,000 En Stock
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Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.570 | $1.57 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
| 50+ | $1.050 |
| 100+ | $0.746 |
| 250+ | $0.683 |
| 500+ | $0.619 |
| 1000+ | $0.578 |
| 2500+ | $0.566 |
| 5000+ | $0.554 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD23N06-31-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3889RL
Cinta adhesiva16P3889
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id9.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd5.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia5.7
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SUD23N06-31-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 60VDS adecuado para aplicaciones de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5.7W
Disipación de Potencia
5.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SUD23N06-31-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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