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MOSFETs Sencillos:
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Ingeniero
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Transistor, Polaridad
Tipo de Canal
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
Intensidad Drenador Continua Id
Resistencia de Activación Rds(on)
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
Diseño de Transistor
Montaje de Transistor
Voltaje de Prueba Rds(on)
Disipación de Potencia Pd
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
Disipación de Potencia
No. de Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
Embalaje
Filtro(s) aplicado(s)
1 Filtro(s) seleccionado(s)
| Comparar | Precio para | Cantidad | |||||||||||||||||||
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Cada | 1+ $2.390 10+ $2.390 25+ $2.390 50+ $2.390 100+ $2.390 Más precios… | Mín: 1/Múlt: 1 | Canal N | N Channel | 600 | 33 | 0.083ohm | 0.099ohm | TO-220AB | Through Hole | 10 | 278W | 4 | 278 | 3Pines | 150 | |||||
Cada (Empaquetado en Cinta Cortada) Cinta adhesiva | 250+ $0.790 | Mín: 2500/Múlt: 2500 | Canal N | Canal N | 100V | 3.4A | 0.083ohm | 0.083ohm | SOIC | Montaje Superficial | 10 | 5W | 2.9V | 5W | 8Pines | 150 | |||||
