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SIHP33N60E-GE3
MOSFET POT, CANAL N, 600V, 33A
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FabricanteVISHAY
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.400 |
| 10+ | $3.420 |
| 25+ | $3.330 |
| 50+ | $3.230 |
| 100+ | $3.140 |
| 250+ | $2.970 |
| 500+ | $2.790 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark19X1945
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia de Activación Rds(on)0.083ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia278
Disipación de Potencia Pd278W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de potencia de la serie E adecuado para su uso en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones, fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), fuentes de alimentación de corrección del factor de potencia (PFC), iluminación (descarga de alta intensidad (HID), iluminación de balasto fluorescente), industrial (soldadura calentamiento por inducción, accionamientos de motor, cargadores de baterías, energías renovables y solar (inversores fotovoltaicos).
- Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qi
- Baja capacitancia de entrada (Ciss)
- Pérdidas bajas de conmutación y conducción.
- Carga de puerta ultrabaja (Qi)
- Energía de avalancha clasificada (UIS)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.083ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
278
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
278W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIHP33N60E-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto