Imprimir página
IRF5803TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5803TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25M9809RL
Cinta adhesiva25M9809
Su número de pieza
803 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.779 | $0.78 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.779 |
| 50+ | $0.445 |
| 100+ | $0.317 |
| 250+ | $0.289 |
| 500+ | $0.261 |
| 1000+ | $0.234 |
| 2500+ | $0.218 |
| 5000+ | $0.201 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF5803TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)25M9809RL
Cinta adhesiva25M9809
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id3.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112
Resistencia de Activación Rds(on)0.112ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd2W
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Aplicaciones potenciales del MOSFET de potencia HEXFET® de un solo canal P adecuadas para interruptores de CD y aplicaciones de interruptores de carga.
- Bajo RDS(on)
- Calidad líder en la industria
- Baja carga de compuerta
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
2W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.112ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto