Imprimir página
IPLU300N04S4R8XTMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 300 A, 770 µohm, H-PSOF-8-1, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9061RL
Cinta adhesiva13AC9061
Rango de ProductoOptiMOS T2
Su número de pieza
2,768 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.560 | $7.56 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.56 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.560 |
| 50+ | $4.630 |
| 100+ | $3.710 |
| 250+ | $3.560 |
| 500+ | $3.400 |
| 1000+ | $3.110 |
| 2500+ | $3.020 |
| 5000+ | $2.960 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPLU300N04S4R8XTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9061RL
Cinta adhesiva13AC9061
Rango de ProductoOptiMOS T2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente770
Resistencia de Activación Rds(on)530µohm
Diseño de TransistorH-PSOF-8-1
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd429W
Disipación de Potencia429
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS T2
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ -T2
- Modo de mejora de canal N
- Calificado AEC
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Ultra bajo RDS (ENCENDIDO)
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
770
Diseño de Transistor
H-PSOF-8-1
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
429W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS T2
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300
Resistencia de Activación Rds(on)
530µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
429
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto